Warstwy węglowe aktywne w stosunku do antyciał wirusów

 

Bioaktywne warstwy węglowo-palladowe (C-Pd) o dużej liczbie wiązań sp2 oraz tranzystor z bioaktywną bramką

 

Forma ochrony: Pat.215916, Pat.235878

Forma komercjalizacji: Udział w projekcie

Licencja na know-how na wytwarzanie warstw C-Pd

Licencja na know-how na wytwarzanie tranzystorów

 

Łukasiewicz-ITR jest jedynym podmiotem uprawnionym do technologii warstw C-Pd

Dane kontaktowe w Ł-ITR mgr inż. Sławomir Krawczyk: slawomir.krawczyk@itr.lukasiewicz.gov.pl oraz dr hab. Elżbieta Czerwosz: elzbieta.czerwosz@itr.lukasiewicz.gov.pl

IMIO PW oraz Ł-ITR są jedynymi podmiotami uprawnionym do technologii tranzystora

Dane kontaktowe do IMiO PW dr Piotr Firek: piotr.firek@pw.edu.pl oraz prof. dr hab. Jan Szmidt: j.szmidt@elka.pw.edu.pl

 

Opis technologii

Przedmiotem wynalazku 1) jest sposób otrzymywania nanopianki węglowej, zawierającej nanokrystality metalu, polegający na tym, że na dowolnym podłożu w warunkach dynamicznej próżni w procesie PVD z zastosowaniem dwóch źródeł, z których jedno zawiera fuleren C60, a drugie związek organiczny metalu, nanosi się warstwę węglowo-metalową. Następnie warstwę tę w procesie CVD w warunkach ciśnienia atmosferycznego poddaje się modyfikacji struktury z zastosowaniem węglowodoru jako źródła węgla i w temperaturze wyższej od temperatury wrzenia węglowodoru i od temperatury osadzania warstwy węglowo-metalowej w procesie PVD.

Jeżeli jako metal zastosujemy pallad, to pianka węglowa ma strukturę bogatą w wiązania sp2. Opracowano metodę nanoszenia takiej warstwy na różnego rodzaju podłoża wytrzymałe na podwyższoną temperaturę (kwarc, krzem np. tranzystor, metal).

Przedmiotem wynalazku 2) jest struktura tranzystorowego czujnika zbudowanego z podłoża półprzewodnikowego z krzemu, z warstwy dielektryka z tlenku krzemu, obszarów domieszkowanych stanowiących dren i źródło. Na dielektryk bramkowy, naniesiona jest nanokompozytowa warstwa weglowo-palladowa, metodą PVD, poprzez odparowanie fullerytu C60 i octanu palladu z dwóch osobnych źródeł lub wg. Wynalazku Pat.215916

 

Rys.1. Obszar bramki tranzystora pokryty warstwą węglowo-palladową

 

Zalety/korzyści z zastosowania technologii:

Warstwy takie mogą być wykorzystywane do aktywacji wirusa poprzez charakterystyczne dla niego anty ciało. Odpowiedź tranzystora z bramką z takiej warstwy na podczepienie charakterystycznego wirusa jest natychmiastowa.

 

Zastosowanie rynkowe:

Warstwy, a w szczególności warstwy w układzie tranzystora mogą być stosowane jako szybki zerojedynkowy czujnik różnych wirusów, w szczególności COVID.

 

Doradztwo w zakresie: 

Zakres do ustalenia.

 

Słowa kluczowe: 

warstwa nanokompozytowa C-Pd, wiązania sp2, czujnik wirusa, COVID

Strona korzysta z plików cookies w celach statystycznych zgodnie z Polityką Prywatności. Możesz samodzielnie określić warunki przechowywania lub dostępu plików cookies w Twojej przeglądarce. Zamknij